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J-GLOBAL ID：201602020547113355   整理番号：69A0027419

シリコン中の浅いドナーアクセプタ電子遷移による放射スペクトル

Radiative spectra from shallow donor-acceptor electron transfer in silicon.

著者 (2件)： ENCK R C ,  HONG A
資料名： Phys Rev  (Physical Review)
巻： 177  号： 3  ページ： 1182-1193  発行年： 1969年 
JST資料番号： D0323B  ISSN： 0031-899X  CODEN： PHRVA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン中のドナーからアクセプタへの放射電子遷移を液体ヘリウム温度で観測したところ,ゼロフォノン線,TOおよびTAフォノン線が見いだされた。(P,In)の場合にはLAフォノン線も観測された。Thomas等の理論を異方性の効果を考慮して改良し,半値幅を解析した。不純物対のクローンエネルギー,再結合速度定数を求めた。またシリコンの間接バンドギャップが1.166±0.0010eV,励起子エネルギーが0.0102±0.0015eVであることが確かめられた;写図10表3参32

準シソーラス用語： シリコン ,  間接エネルギーギャッブ ,  再結合放射スペクトル ,  放射電子遷移 ,  励起子エネルギー

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  浅いドナー ,  アクセプタ ,  電子遷移 ,  放射スペクトル