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J-GLOBAL ID：201602020586935257   整理番号：71A0044644

非晶質ゲルマニウムにおける局部伝導過程

Localized conduction processes in amorphous germanium.

著者 (2件)： MORGAN M ,  WALLEY P A
資料名： Philos Mag  (Philosophical Magazine)
巻： 23  号： 183  ページ： 661-671  発行年： 1971年 
JST資料番号： D0316A  ISSN： 0031-8086  CODEN： PHMAA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質ゲルマニウムサンドィッチ層の電流一電圧挙動を2~79.Kの温度範囲で調べた。得られた結果を非晶質ゲルマニウムの伝導モテルで論じ,同じ現象が非晶質シリコンの伝導でも起こる事を示した。非晶質ゲルマニウムの伝導はホッピングにより起こる。キャリアは局在伝導帯へ,大密度のアクセプター状態により供給されtる。・低温での電流制限過程はアクセプターからの放射を補助する場であり,高温では局在状態間の輸送である;写図7参18

シソーラス用語： ゲルマニウム ,  電気伝導

タイトルに関連する用語 (4件)： 非晶質 ,  ゲルマニウム ,  伝導 ,  過程