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J-GLOBAL ID：201602020638322771   整理番号：72A0032934

半導体中における陽電子の移動度

The mobility of positrons in semiconductors.

著者 (2件)： BERGERSEN B ,  McMULLEN T
資料名： Solid State Commun  (Solid State Communications)
巻： 9  号： 21  ページ： 1865-1866  発行年： 1971年 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電場に対する陽電子のふるまいを調べるために,陽電子消滅の方法を利用できるかについて議論した。その実験結果を変形ポテンシャル模型を使って,解析する方法も考えてある;参9“1

シソーラス用語： 移動度 ,  半導体 ,  陽電子 ,  陽電子消滅
準シソーラス用語： 変形ポテンシャル

タイトルに関連する用語 (2件)： 陽電子 ,  移動度