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J-GLOBAL ID：201602020647402540   整理番号：70A0025888

いろいろな表面濃度のS,P.BのSi中への拡散

Диффузия сурьмы, фосфора и бора в кремнии при различных поверхностных концентрациях диффузанта,

著者 (4件)： УСКОВ В А ,  ПАВЛОВ П В ,  КУРИЛЬЧИК Е В ,  ПАШКОВ В И
資料名： Fiz Tverd Tela  (Fizika Tverdogo Tela)
巻： 12  号： 5  ページ： 1504-1510  発行年： 1970年 
JST資料番号： R0029B  ISSN： 0367-3294  CODEN： FTVTA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： 1017~1022cm,3の表面濃度にたいする一定時間の拡散深度を測定した。実験結果を前論文(同誌エ3356(’65))の理論による数値計算の結果と比較した。真性半導体中の不純物の拡散にたいする平均場の方法の適用限界を明らかにした;写図5表2参19

シソーラス用語： ほう素 ,  りん ,  拡散
準シソーラス用語： Si中 ,  いおう ,  いおう(Si中) ,  シリコン ,  ほう素(Si中) ,  りん(Si中)

タイトルに関連する用語 (3件)： 表面濃度 ,  Si ,  拡散