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J-GLOBAL ID：201602020701167498   整理番号：71A0244687

合金形低伝導度バルクGaAsからの電流パルスの発生

Generation and the characteristics of current pulses from alloyed-type low-conductivity bulk GaAs.

著者 (2件)： HAYASHI T ,  TAKAO I
資料名： IEEE Trans Electron Devic  (IRE Transactions on Electron Devices)
巻： 18  号： 1  ページ： 70-72  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低伝導度の銅添加GaAsで1kHz付近の周波数をもった電流パルスが観察された。低伝導度のバルクGaAs試料にInのオーム性接触をつけ.交流の半正弦波電圧を印加するとコヒーレントな電流パルスが得られる。印加電圧を高めるとくり返し率が大きくなる。試料表面に光を照射したりふん囲気温度を変えると電流パルスに強い影響が現れる。この電流パルスは深い準位のイオン化に起因しており,SiやGeのp-n接合でみられるマイクロプラズマ・パルスと比較検討した;写図3表1参12

準シソーラス用語： GaAs ,  GaAsデバイス ,  電流パルス発生 ,  電流パルス発生(GaAs)

タイトルに関連する用語 (5件)： 合金 ,  伝導度 ,  バルク ,  GaAs ,  電流パルス