文献

J-GLOBAL ID：201602020812066011   整理番号：70A0261012

ヒューズ式リードオンリメモリ

著者 (2件)： さか尾正義 ,  小笠原光孝
資料名： 電子材料  (Electronic Parts and Materials)
巻： 9  号： 7  ページ： 48-51  発行年： 1970年 
JST資料番号： F0040A  ISSN： 0387-0774  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 回路形式がバイポーラトランジスタマトリクス,内容の書き込みが過電流によるヒューズ溶断の形式を採用したリードオンリメモリを紹介した。この形式のROM ICは,動作が高速で.通常の論理回路に直結できるなどの利点を有している;写図9

準シソーラス用語： ヒューズ式 ,  リードオンリメモリ ,  リードオンリメモリ(ヒューズ式)

タイトルに関連する用語 (2件)： ヒューズ ,  リードオンリメモリ