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J-GLOBAL ID：201602020827462738   整理番号：72A0038930

In-Ga-P三成分系の状態図とその液相エピタクシャル成長への応用

The In-Ga-P ternary phase diagram and its application to liquid phase epitaxial growth.

著者 (1件)： BLOM G M
資料名： J Electrochem Soc  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 118  号： 11  ページ： 1834-1836  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 0013-4651  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： In-Ga-P三成分状態図の計算に開発した方法をhP-GaP擬似二成分系に一般化した。液体三成分系と固体擬似二成分系の自由エネルギーを組成の関数として計算し,液体対固体の相対的安定性を示し,いかなる条件で液相エピタクシャル成長が可能であるかをぎん味した。液相エピタクシャル成長の時.沈殿するIn,Ga_1-xP固相の組成の変化を様々に条件をかえて計算した。平衡を仮定し組成を温度の関数として与え,エピタクシャル層の厚さの変化に対する組成変化の計算を試みた;写図3表2参18

シソーラス用語： インジウム ,  エピタクシー ,  ガリウム ,  りん ,  りん化インジウム ,  りん化ガリウム ,  状態図 ,  半導体
準シソーラス用語： りん化ガリウムインジウム

タイトルに関連する用語 (5件)： 三成分系 ,  状態図 ,  液相 ,  エピタクシャル成長 ,  応用