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J-GLOBAL ID：201602020941448028   整理番号：72A0035892

シリコン表面逆転層における電流磁気効果

著者 (2件)： SAKAKI H ,  SUGANO T
資料名： Jpn J Appl Phys  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 10  号： 8  ページ： 1016-1027  発行年： 1971年 
JST資料番号： G0520A  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si表面逆転肩の2次元電一Fガスの電流磁気効果の理論を(111)表面に対する実験結果とともに述べる。2次元多谷エネルギー帯構造とエネルギー依存緩和時間を考慮して計算を行なった。ホール移動度と伝導率移動度の比に対する表示を得,その比が結晶方向,散乱機梅.担体濃度に依存することが分った。磁気抵抗の理論を300。K,77。Kで(111)Si表面で測定した結果と比べた;写図9表2参25

シソーラス用語： 電流磁気効果 ,  表面
準シソーラス用語： シリコン ,  逆転層

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン ,  逆転層 ,  電流磁気効果