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J-GLOBAL ID：201602020946510562   整理番号：72A0022101

SiIISiIIIとSiIVの寿命の測定

Lifetime measurements in Si II, Si III, and Si IV.

著者 (4件)： BERRY H G ,  BROMANDER J ,  CURTIS L J ,  BUCHT A R
資料名： Phys Scr  (Physica Scripta)
巻： 3  号： 3/4  ページ： 125-132  発行年： 1971年 
JST資料番号： A0454B  ISSN： 0031-8949  CODEN： PHSTBO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 7(11)0-6000.,の波長領域にもたってSiILSi皿とSiNの放射の減衰時間をビームフォイル法で測り,その準位の寿命と遷移確率を計算し,理論値と比較した。SiIIの中で弱い遷移を示すものを除いては実験結果はかなり信頼のおけるものであった;写図7表5参37

シソーラス用語： けい素 ,  可視スペクトル ,  紫外スペクトル ,  寿命 ,  遷移確率
準シソーラス用語： ビームフォイル法

タイトルに関連する用語 (1件)： 寿命