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J-GLOBAL ID:201602020951754232   整理番号:71A0031410

ゲルマニウムのパッシベイション I 化学反応によるパッシベイション被膜の形成

著者 (1件):
資料名:
巻: 20  号:ページ: 927-947  発行年: 1971年 
JST資料番号: F0137A  ISSN: 0415-3200  CODEN: DTKKA   資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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竹ンマニウム素子のパッシベイション用の被膜として.SiOZ,S1,NGe,NBeOの4種類の薄膜をと1)あげ,気相化学反応によ)1こt’.らの膜をGe結晶表面に形成する際の問題点と,得られる膜の物豊化学的性質について検討した。その結果,SiBr,-NO-H,系で形成JたSiO,膜は他のSiBr,-HZO-HZ系SiH,-O,系などによる$iO謀とは異なった性質をもつこと,SiBr-i7,3-H,系で良好なSi,H,膜の形成が可能であることが確かめられた。またGeCl,-NH,・Ht系によるGe,N,膜は高温度で分解する欠点はあるが,常温でi)r-11定’,た,良好な絶縁膜であることがわかった。BeO膜はBeCIZ-NO-HまたはBeC1,-COZ-HZ系により形成し,その結晶構造と赤橡吸収特性について検討した;写図34表2参10
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