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J-GLOBAL ID:201602020972028353   整理番号:62A0067840

低温化学吸着 III 電場放射顕微鏡による研究

Low-temperature chemisorption. III. Studies in the fitld emission microscope.
著者 (2件):
資料名:
巻: 35  号:ページ: 1421-1439  発行年: 1961年 
JST資料番号: C0275A  ISSN: 0021-9606  CODEN: JCPSA6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA) 
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表面構造に対する吸着の依存性を研究,Wの全ての面でN吸着原を観察できる.III極付近での拡散速度が最も速く移動の障壁は20kcal/mole(100極付近で35kcal/mole),T>400°Kで不定なNのα伏態に対し著しい構造効果がある(111極付近に分布)79°Kで安定なγ伏態(分子伏)はほぼ一様に分布する

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