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J-GLOBAL ID：201602021060870068   整理番号：71A0036458

rfスパッターしたSiO₂膜の着色中心の生成と焼なまし

Production and annealing of color centers in rf sputtered SiO₂ films.

著者 (1件)： HICKMOTT T W
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 42  号： 6  ページ： 2543-2556  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スバッターSio,ではG帯(5.4eV)とH帯(6。55eV)の新しい吸収帯が現われ.フォーミング・ガスまたはN,で焼なましすると成長する。これらの帯は酸素中930°Cで完全に焼なましされるから,酸素欠乏と関係する。OH濃度,Ar濃度,屈折率,密度,エッチ速度も測った。膜の性質はプラズマ放射と再スバッターの影響を強くうける;写図17表1参41

シソーラス用語： スパッタ ,  光吸収 ,  色中心
準シソーラス用語： SiO₂ ,  燒なまし

タイトルに関連する用語 (4件)： RFスパッター ,  SiO2 ,  着色中心 ,  焼なまし