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J-GLOBAL ID：201602021117034792   整理番号：71A0226183

半導体装置を含む回路網の方程式の可解性と逆バイアス降伏現象

On the solvability of the equations of networks containing semiconductor devices. and reverse-bias breakdown phenomena.

著者 (1件)： SANDBERG I W
資料名： IEEE Trans Circuit Theory  (IRE Transactions on Circuit Theory)
巻： 18  号： 4  ページ： 475-476  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0226A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体ダイオードやトランジスタを含む回路の解析において必要となる非線形方程式の可解性について論じた。特に主張する点は,通常の計算機シミュレーションでは扱わない逆バイアスによる降伏現象の処理が考慮されていることである。結論的には.トランジスタやダイオードに対しより複雑なモデルを設定することにより.この回路の直流方程式が,過渡解のための非線形方程式の場合と同様に少くとも1つの解を有するとい3回路論的な意義を強調した;写図3参5

シソーラス用語： トランジスタモデル ,  回路解析 ,  非線形回路
準シソーラス用語： 降伏現象

タイトルに関連する用語 (4件)： 方程式 ,  可解性 ,  逆バイアス ,  降伏現象