文献

J-GLOBAL ID：201602021131414115   整理番号：72A0038077

多量にドープしたB^III₂C^VI₃半導体の電気伝導

Электропроводность сильно легированных полупроводн-иков типа B^III₂C^VI₃

著者 (2件)： КОШКИН В М ,  ГАЛЬЧИНЕЦКИЙ Л П
資料名： Fiz Tekh Poluprovo  (Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)
巻： 5  号： 10  ページ： 1983-1985  発行年： 1971年 
JST資料番号： R0267A  ISSN： 0015-3222  CODEN： ETPPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： Zn.Cu不純物をドープした,また化学量論的組成のずれのある工n,Te,とGa,Te,の電気伝導率の濃度(10%以下)と温度変化を測定した。これらの特性は不純物や化学量論的に組成のずれた原子の種類によらない。160K以上の温度域では,伝導は固有伝導で.禁制帯幅は光学的幅と一致する;写図2参14

準シソーラス用語： Ga₂Te₃ ,  In₂Te₃ ,  多量ドープ ,  電気伝導率

タイトルに関連する用語 (2件)： ドープ ,  電気伝導