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J-GLOBAL ID：201602021171431160   整理番号：70A0208162

SiC中の表面割れの酸化によるヒーリング

Healing of surface cracks in SiC by oxidation.

著者 (1件)： LANGE F F
資料名： J Am Ceram Soc  (Journal of the American Ceramic Society)
巻： 53  号： 5  ページ： 290  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0253A  ISSN： 0002-7820  CODEN： JACTAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化けい素の酸化抵抗は酸化の初期段階に形成される酸化けい素の保護膜に起因する。ここでは膜が深い表面割れをヒールできることを示した。熱衡撃(900°Cから水冷する方法)により導入された表面割れを1400°C,100hまでの各種時間で再加熱(空気ふん囲気)した後,4点曲げ強さ試験法により調べた。試料炭化けい素(低密度,高密度品)の曲げ強さは,低密度試料の場合,処理時間の増加と共に増大し,高密度試料にはほとんど影響がなかった;写図2参1

シソーラス用語： 曲げ強さ ,  酸化 ,  炭化けい素
準シソーラス用語： C ,  S ,  SiC ,  ヒーリング ,  ヒーリング(ひび割れ/SiC) ,  ひび割れ ,  ひび割れ(S:C) ,  曲げ強さ(SiC) ,  酸化(SiC)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiC ,  表面割れ ,  酸化 ,  ヒーリング