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J-GLOBAL ID：201602021197085651   整理番号：70A0249298

サファイア上のGaAsを用いたGunn効果素子

Gallium arsenide on sapphire Gunn effect devices.

著者 (1件)： OWENS J M
資料名： Proc IEEE  (Proceedings of the IRE)
巻： 58  号： 6  ページ： 930-931  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0378A  ISSN： 0018-9219  CODEN： IEEPAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイァ上に気相成長法で成長させたエピタクシャルGaAs層を使用してGunn効果素子を製作した。 Ohm性接触用金属としてはSnを使用した。素子の大きさは,長さ0.5から0.8mm.幅0.5mmである。この素子の特性を測定したところ,きれいなドメイン走行時間モードによる発振が観測された;写図2表1参3

準シソーラス用語： GaAs ,  GaAs(Gunn効果素子/サファイヤ) ,  Gunn効果素子 ,  Gunn効果素子(GaAs/サファイヤ) ,  サファイヤ ,  サファイヤ(Gunn効果素子/GaAs)

タイトルに関連する用語 (3件)： サファイア ,  GaAs ,  Gunn効果