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J-GLOBAL ID:201602021243118624   整理番号:71A0280077

Si脱酸反応機構と冷却凝固過程におけるSiO2介在物の生成について

著者 (2件):
資料名:
巻: 57  号: 13  ページ: 1953-1962  発行年: 1971年 
JST資料番号: F0332A  ISSN: 0021-1575  CODEN: TEHAA   資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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(1)Si脱酸では,Si添加後に溶解酸素が急激に平衡値まで低下することはない。(2)生成したSiO2粒子の凝集はほとんど起こらず,粒子の成長は,もっぱら拡散成長による。(3)粒子の成長過程すなわち脱酸の進行は,かくはん浴では界面反応によって律速される。(4)Si脱酸過程は,生成したSiO2の分離と過飽和な溶解酸素の低下の両面から考察される;写図11参8
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引用文献 (8件):
  • 1) 坂上, 川崎, 鈴木, 佐藤: 鉄と鋼, 55 (1969), p.550
  • 2) W. A. FISCHER and M. WAHLSTER: Arch. Eisenhüttenw., 28 (1957), p.601
  • 3) E. T. TURKDOGAN: JISI, 204 (1966), p.914
  • 4) 坂上, 笹井: 鉄と鋼
  • 5) H. SCHENCK, E. STEINMETZ. and K. K. MEHTA: Arch. Eisenhüttenw., 41 (1970), p.131
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