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J-GLOBAL ID：201602021257712278 整理番号：65A0164148
MOS構造の半導体の表面インピーダンス
Note on the impedance of semiconductor surfaces in MOo structures
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資料名：
Proc IEEE (Proceedings of the IRE)
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巻：
53
号：
10
ページ：
1064-1665
発行年：
1965年
JST資料番号：
D0378A
ISSN：
0018-9219
CODEN：
IEEPAD
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
短報
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
抄録/ポイント：
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LehovecとSlobodskoyは半導体表面でのエネルギー帯が平坦な状態にある場合に限定し,半導体表面の交流小信号インピーダンスを表らわす厳密な解を求め,これらの解が二つの独立な電荷キャリア分布の形に分けて解析され得ることを示したが(速達,電気,8〔10〕61,4709680参照),本文では,この事実が,エネルギー帯が任意に湾曲している場合にも成立つことを解析的に示した;参9
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