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J-GLOBAL ID：201602021273956519   整理番号：70A0039896

GaAs単結晶のイオンーイオンおよびイオン-電子放出の角度および温度依存性

Угловые и температурные зависим о сти цонно-згекшроннои.ц ионно-ионной эмиссии моно кристалла GaAs.

著者 (3件)： КАПУСТА О И ,  ЛЕБЕДЕВ С Я ,  ОМЕЛЬЯНОВСКАЯ Н М
資料名： Fiz Tverd Tela  (Fizika Tverdogo Tela)
巻： 12  号： 3  ページ： 913-915  発行年： 1970年 
JST資料番号： R0029B  ISSN： 0367-3294  CODEN： FTVTA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： 70keVのアルゴンイオンをGaAs単結晶に照射したときのイオンー電子およびイオンーイオン(陽イオン)放出を測定した。温度依存性から欠陥の焼なまし機構が研究できる。イオンーイオン放出の方が表面の純度に敏感であることがわかった;写図2参7

シソーラス用語： イオン放出 ,  格子欠陥 ,  焼なまし ,  電子放出
準シソーラス用語： GaAs ,  イオンによる ,  電子放出(イオンによる)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs単結晶 ,  イオン ,  電子放出 ,  温度依存性