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J-GLOBAL ID：201602021295702340   整理番号：71A0035327

中性子を照射したシリコン中の欠陥クラスタによるキャリアのトラッピング

Carrier trapping by defect clusters in neutron-irradiated silicon.

著者 (2件)： SPRAGUE J A ,  RUDEE M L
資料名： Phys Status Solidi A  (Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻： 2  号： 2  ページ： 261-265  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 0031-8965  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4.4×10ii原子/cm3のりん,および9×10,6原子ノcm3のアンチモンをドープした2種類の無転位シリコン(<1017酸素原子/cm3)単結晶(直径0,3cm、厚さ0.038cm)を100°Cで1.2xIOtgnvt照射した後,真空中400・-900°Cの温度で30分間焼なまし,キャリアトラッピングの焼なまし効果を研究した。ホール効果と比抵抗はパウ法で測定した。電子顕微鏡観察による欠陥クラスタと対応させた結果,欠陥クラスタがキャリアトラップとして働らくことが分った;写図3参16

シソーラス用語： 格子欠陥 ,  焼なまし ,  照射損傷 ,  中性子照射
準シソーラス用語： キャリア捕獲 ,  シリコン ,  欠陥クラスタ ,  捕獲中心

タイトルに関連する用語 (5件)： 中性子 ,  シリコン ,  欠陥クラスタ ,  キャリア ,  トラッピング