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J-GLOBAL ID：201602021317161110   整理番号：71A0033071

半導体における谷-軌道相互作用

Valley-orbit interaction in semiconductors.

著者 (1件)： BALDERESCHI A
資料名： Phys Rev B  (Physical Review. B. Solid State)
巻： 1  号： 12  ページ： 4673-4677  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0746A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 谷一軌道相互作用は,多くの谷をもつ半導体で観察されるドナ法基底状態の分裂にかなりの貢献をするという仮定を考察した。実効質量理論で,SiおよびGe内のV族ドナーの基底状態へのこの相互作用の効果を評価し.中心胞補正と比較し,谷間散乱効果はSiではドナーに対して中心胞補正と同じ位の大きさだが,Ge内のドナーに対しては非常に重要であることを示した;写図1参22

シソーラス用語： ゲルマニウム ,  ドナー ,  半導体
準シソーラス用語： シリコン ,  谷-軌道相互作用 ,  有効質量理論

タイトルに関連する用語 (2件)： 谷 ,  軌道相互作用