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J-GLOBAL ID：201602021344322753   整理番号：64A0020745

シリコンに対する陽子照射損傷のエネルギー依存性

Energy dependence of proton irradiation damage in silicon.

著者 (3件)： BOSHTFZWEIG W ,  DTS F M ,  BBQW V L
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 15  号： 9  ページ： 2707-2711  発行年： 1964年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： シリコン太陽電池に1.35~130MeVの陽子を照射し,照射中に生ずる短絡電流を測り,K三d(1/L²)/dφを求め,バルク中の少数キャリアの拡散長Lの変化の照射エネルギー依存性を調べた。1ΩcmのN形シリコンは,1ΩcmのP形シリコこンより各エネルギーでKが約6倍大きくなる。常温焼なましにより拡散長はKの値で30~50%回復ずる;図5参8

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  陽子照射 ,  損傷 ,  エネルギー依存性