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文献
J-GLOBAL ID:201602021415142263   整理番号:58A0061323

InP,GaAs,AlSbの中のキャリアの移動置

Carrier Mobilities in InP, GaAs, and AlSb.
著者 (2件):
資料名:
巻:号:ページ: 54-61  発行年: 1958年
JST資料番号: C0287A  CODEN: JELCA   資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: イギリス (GBR) 
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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n型InP,GaAsと,p型AlSbの中の多数キャリアの移動度を,不純物濃度と温度の関数として測定した。イオン化した不純物による散乱を考えると,300°Kでの格子移動度は,GaAs中の電子11500,InP中の電子6600,AlSb中の正孔450cm/V-sec程度の値となる。移動度に対する影響から不純物濃度を推定出来る。InP中の電子,GaAs,AlSb中の正孔の格子移動度の温度依存性はT-2より大きく,またAlSb中の正孔の有効質量は大体0.4m0である
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