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J-GLOBAL ID：201602200345768870   整理番号：16A0387888

WSe₂/SnSe₂ヘテロ構造を用いた2D-2Dトンネル電界効果トランジスタ

2D-2D tunneling field-effect transistors using WSe₂/SnSe₂ heterostructures

著者 (6件)： ROY Tania (Electrical Engineering and Computer Sciences, Univ. of California, Berkeley, California 94720, USA) ,  TOSUN Mahmut (Electrical Engineering and Computer Sciences, Univ. of California, Berkeley, California 94720, USA) ,  HETTICK Mark (Electrical Engineering and Computer Sciences, Univ. of California, Berkeley, California 94720, USA) ,  AHN Geun Ho (Electrical Engineering and Computer Sciences, Univ. of California, Berkeley, California 94720, USA) ,  HU Chenming (Electrical Engineering and Computer Sciences, Univ. of California, Berkeley, California 94720, USA) ,  JAVEY Ali (Electrical Engineering and Computer Sciences, Univ. of California, Berkeley, California 94720, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 108  号： 8  ページ： 083111-083111-5  発行年： 2016年02月22日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *セレン化物 ,  タングステン化合物 ,  スズ化合物 ,  素子構造 ,  二次元 ,  半導体材料 ,  温度依存性 ,  酸化ジルコニウム ,  *ヘテロ接合 ,  電流電圧特性 ,  セレン化スズ ,  セレン化タングステン ,  二次元材料 ,  ヘテロ構造
準シソーラス用語： *トンネルFET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： ヘテロ構造 ,  2D ,  トンネル電界効果トランジスタ