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J-GLOBAL ID：201602200889080715   整理番号：16A0070624

ZnO薄膜のAl基板と集合組織の結晶学的方位関係【Powered by NICT】

Relationship between Crystallographic Orientation of Al Substrate and Texture of ZnO Thin Film

著者 (5件)： Jiang Xin (State Key Lab. of Refractories and Metallurgy, Wuhan Univ. of Sci. and Technol., Wuhan) ,  Jia Juan (State Key Lab. of Refractories and Metallurgy, Wuhan Univ. of Sci. and Technol., Wuhan) ,  Wu Jun (State Key Lab. of Refractories and Metallurgy, Wuhan Univ. of Sci. and Technol., Wuhan) ,  Gong Tian (State Key Lab. of Refractories and Metallurgy, Wuhan Univ. of Sci. and Technol., Wuhan) ,  Lu Zhi (State Key Lab. of Refractories and Metallurgy, Wuhan Univ. of Sci. and Technol., Wuhan)
資料名： Rengong Jingti Xuebao  (Rengong Jingti Xuebao)
巻： 44  号： 5  ページ： 1354-1358  発行年： 2015年 
JST資料番号： W0398A  ISSN： 1000-985X  CODEN： RJXUEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： ZnO薄膜を,rfマグネトロンスパッタリング法により二次再結晶高純度Al基板上に作製した。ZnO薄膜のスパッタリングプロセスの影響とAl基材の配向を調べ,Al基板の配向とZnO薄膜の集合組織との間の対応関係を解析した。結果は,結晶ZnO膜は,適切なスパッタリングプロセスによる高純度Al基板上に作製できることを示した。しかし,ZnO膜の結晶化度は,主として,Al基板の方位に依存する。主にAl基板上の{100}面と,堆積したZnO膜は,主に{0002}面とわずかにそれに{1120}面が存在した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 二次再結晶 ,  結晶度 ,  *集合組織 ,  *結晶方位 ,  *結晶 ,  マグネトロンスパッタリング ,  *酸化亜鉛 ,  *アルミニウム
準シソーラス用語： 高純度 ,  *ZnOフィルム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： ZnO薄膜 ,  Al ,  集合組織 ,  結晶学的方位