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J-GLOBAL ID：201602201270373480   整理番号：16A0380234

サブ10nmフィン幅のInGaAsフィンFETにおける量子サイズ効果

Quantum-size effects in sub 10-nm fin width InGaAs FinFETs

著者 (3件)： VARDI A. (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  ZHAO X. (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  DEL ALAMO J. A. (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2015  ページ： 807-810  発行年： 2015年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaAsは,サブ10nm CMOS用の最も有望なnチャネル材料として出現している。精密ドライエッチングディジタルエッチを用いて,サブ10nmフィン幅を有するInGaAsフィンFETを初めて作製した。しきい値電圧V_Tがサブ10nm W_fレンジにおけるフィン幅W_fに非常に敏感であることが分かった。Poisson-Schrodingerシミュレーションは,これが量子化効果によるものであることを示唆した。筆者らは,量子レジームにおいて,85°以下の側壁勾配は,同じ描かれた寸法でV_T変化を著しく低減することも示した。

シソーラス用語： サブミクロン加工 ,  *FET【トランジスタ】 ,  フィン ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  化合物半導体 ,  *量子サイズ効果 ,  *CMOS構造 ,  形状効果 ,  電圧 ,  閾値 ,  計算機シミュレーション ,  電流電圧特性 ,  素子構造 ,  輸送現象 ,  電子密度 ,  *量子閉込め
準シソーラス用語： FinFET ,  InGaAs ,  デバイスシミュレーション ,  輸送特性 ,  閾値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： サブ ,  フィン ,  InGaAs ,  フィンFET ,  量子サイズ効果