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J-GLOBAL ID:201602201330453101   整理番号:16A0368977

全SiCモジュールパッケージング技術

All-SiC Module Packaging Technology
著者 (3件):
資料名:
巻: 61  号:ページ: 224-227  発行年: 2015年12月30日 
JST資料番号: S0167A  ISSN: 0429-8284  CODEN: FUERB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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メガソーラ発電の調整サブシステムに対して,新しいパッケージ構造をもつ全SiC(炭化ケイ素)モジュールを適用し,98.8%のエネルギー変換効率を達成し省エネルギーを実現した。キーとなる技術は,通常のAl配線と熱硬化性エポキシ樹脂を用いる全モールド構造に代えて,Cuピンを用いる3次元配線である。この技術は,小型パッケージ寸法,低インダクタンス,および高い信頼性をもたらす。SiCデバイスの本源的な性質を発揮するために,そのパッケージ設計を最適化した。モールディングプロセスを設計するために,樹脂の流れ解析およびその可視化方法を検討し,空孔のない全モールド構造の結果を得た。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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固体デバイス製造技術一般  ,  混成集積回路 
引用文献 (6件):
  • Nashida, N. et al. All-SiC Module for Mega-Solar Power Conditioner. FUJI ELECTRIC REVIEW. 2014, vol.60, no.4, p.214-218.
  • Horio, M. et al. "New Power Module Structure with Low Thermal Impedance and High Reliability for SiC Devices". Proceedings of PCIM, 2011, p.229-234.
  • Ikeda, Y. et al. "Investigation on Wirebond-less Power Module Structure with High-density Packaging and High Reliability". Proceedings of ISPSD. 2011, p.272-275.
  • Horio, M. et al. "Ultra Compact and High Reliable SiC MOSFET Power Module with 200°C Operating Capability". Proceedings of ISPSD. 2012, p.81-84.
  • Hinata, Y. et al. "Full SiC Power Module with Advanced Structure and its Solar Inverter Application". Proceedings of APEC. 2013, p.604-607.
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タイトルに関連する用語 (3件):
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