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J-GLOBAL ID：201602201628590314   整理番号：16A0210168

SiC溶液成長における溶液内対流が結晶成長に及ぼす影響

Effects of Convection in the Solution on the Crystal Growth in the SiC Solution Growth.

著者 (5件)： 沓掛穂高 (信大 工) ,  鈴木皓己 (信大 工) ,  日根賢人 (信大 工) ,  太子敏則 (信大 工) ,  太子敏則 (信大 環エネ研)
資料名： Journal of Flux Growth  (Journal of Flux Growth)
巻： 10  号： 2  ページ： 138  発行年： 2015年12月11日 
JST資料番号： L7066A  ISSN： 1881-5316  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *対流 ,  *溶液成長 ,  結晶成長 ,  坩堝 ,  温度分布 ,  流速 ,  *炭化ケイ素
準シソーラス用語： *TSSG法

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (2件)：

• 日根賢人他,第62回応用物理学会,11p-P2-1.
• CGSim Software, <https://www.semitech.us/>.

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  溶液成長 ,  溶液 ,  対流 ,  結晶成長