文献

J-GLOBAL ID：201602202173854178   整理番号：16A0394946

i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造におけるコヒーレントLOフォノン-プラズモン結合モードからのテラヘルツ電磁波発生ダイナミクス II

著者 (3件)： 住岡隆裕 (大阪市大 大学院) ,  竹内日出雄 (大阪市大 大学院) ,  中山正昭 (大阪市大 大学院)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 71  号： 1  ページ： ROMBUNNO.19PBH-3  発行年： 2016年03月22日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *半導体接合 ,  N型半導体 ,  真性半導体 ,  エピタクシー ,  *相互作用 ,  *テラヘルツ波 ,  電磁波放射 ,  パワースペクトル ,  フォノン ,  *フォノン-プラズモン相互作用 ,  縦光学フォノン
準シソーラス用語： LOフォノン

分類 (2件)： 固体プラズマ  (BM02160W) ,  ポーラロン,電子-フォノン相互作用  (BM02130P)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs ,  エピタキシャル ,  コヒーレント ,  LOフォノン ,  プラズモン結合 ,  テラヘルツ電磁波 ,  ダイナミクス