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J-GLOBAL ID：201602202423139462   整理番号：15A1297371

修飾ケイ素ナノワイヤのH_2感知特性【Powered by NICT】

H_2 sensing properties of modified silicon nanowires

著者 (5件)： Ahmed Latefa Baba (Dep. de physique, Univ. Saad Dahlab de Blida, Algeria, Blida) ,  Naama Sabrina (Centre de Rech. en Technol. des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE), Algeria, Alger) ,  Keffous Aissa (Centre de Rech. en Technol. des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE), Algeria, Alger) ,  Hassein-Bey Abdelkader (Dep. de physique, Univ. Saad Dahlab de Blida, Algeria, Blida) ,  Hadjersi Toufik (Centre de Rech. en Technol. des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE), Algeria, Alger)
資料名： Progress in Natural Science: Materials International  (Progress in Natural Science: Materials International)
巻： 25  号： 2  ページ： 101-110  発行年： 2015年 
JST資料番号： W0407A  ISSN： 1002-0071  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 貴金属で修飾したシリコンナノワイヤを,本研究における有効H_2ガスセンサを作製するために使用できることが分かった。シリコンナノワイヤ(SiNW)の調製と表面改質を化学法により行った。シリコンナノワイヤ非改質および白金, パラジウム, 銀と金のナノ粒子で改良した合金の形態を走査電子顕微鏡(SEM)を用いて調べた。シリコンナノワイヤ層の化学組成を,二次イオン質量分光法(SIMS)とエネルギー分散型X線分析(EDX)によって研究した。metal/SiNWs/p Si型/Alの構造を作製した。電気特性(I-V)を種々の濃度で一次真空とH_2で実施した。SiNWを修飾するために用いた金属型はI-V特性に強く影響することが分かった。H_2ガスに対するこれらの構造の応答は金属型の関数として調べた。最後に,センサの感知特性と性能を調べた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 二次イオン質量分析 ,  *金 ,  貴金属 ,  電流電圧特性 ,  化学組成 ,  白金 ,  エネルギー散逸 ,  ガスセンサ ,  センサ ,  パラジウム ,  表面改質 ,  銀 ,  電気特性 ,  走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： *シリコンナノワイヤ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (9件)： 光化学反応,ラジカル反応  (CF02090A) ,  その他の熱的変量の計測法・機器  (AD06040R) ,  炭鉱,石炭資源  (UA01100K) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  作物育種一般  (FC02010K) ,  無機化合物の化学分析  (CC07024R) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  遺伝子の構造と化学  (EC02020U) ,  計算機シミュレーション  (JE11000H)

タイトルに関連する用語 (3件)： 修飾 ,  ケイ素ナノワイヤ ,  感知