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J-GLOBAL ID：201602203363274027   整理番号：16A0168771

金属有機化学蒸着システムにおける反射率マッピングによるSi(111)基板上に成長させたGaNのその場ウエハ湾曲測定【Powered by NICT】

In-situ wafer bowing measurements of GaN grown on Si(111) substrate by reflectivity mapping in metal organic chemical vapor deposition system

著者 (15件)： Yang Yibin (Sun Yat-Sen Univ. State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangzhou) ,  Liu Minggang (Sun Yat-Sen Univ. State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangzhou) ,  Chen Weijie (Sun Yat-Sen Univ. State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangzhou) ,  Han Xiaobiao (Sun Yat-Sen Univ. State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangzhou) ,  Chen Jie (Sun Yat-Sen Univ. State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangzhou) ,  Lin Xiuqi (Sun Yat-Sen Univ. State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangzhou) ,  Lin Jiali (Sun Yat-Sen Univ. State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangzhou) ,  Luo Hui (Sun Yat-Sen Univ. State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangzhou) ,  Liao Qiang (Sun Yat-Sen Univ. State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangzhou) ,  Zang Wenjie (Sun Yat-Sen Univ. State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangzhou) ,  Chen Yinsong (Sun Yat-Sen Univ. State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangzhou) ,  Qiu Yunling (Sun Yat-Sen Univ. State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangzhou) ,  Wu Zhisheng (Sun Yat-Sen Univ. State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangzhou) ,  Liu Yang (School of Physics and Engineering, Inst. of Power Electronics and Control Technol., Sun Yat-Sen Univ., Guangzhou) ,  Zhang Baijun (Sun Yat-Sen Univ. State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangzhou)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 24  号： 9  ページ： 096103-1-096103-5  発行年： 2015年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,成長時のウエハの曲がりは3×2′′Thomas Swan密結合シャワーヘッド金属有機化学蒸着(MOCVD)システムにおける反射率マッピング法によるその場測定することができた。反射率マッピング法は,通常,膜厚さと成長速度を測定した。エピタキシャル成長中の応力(引張と圧縮)により生じるウエハ湾曲はウエハ上の異なる位置における温度変化をもたらし,低い成長温度ほど,速い成長速度とその逆になる。このため,ウエハ湾曲はウエハ上の異なる位置での成長速度の相違を解析することにより測定できる。さらに,ウエハ曲がりをex-situウェハそり測定により確認した。高抵抗および低抵抗率のSi基板上にはエピタキシャル成長に使用された。低抵抗率のSi基板と比較して,高比抵抗基板上に成長したGaNは,組成傾斜したAlGaN緩衝層で誘起された高い圧縮応力に起因する大きなウェハ反りを示した。ウエハのそりのこの遷移は明らかに反射率マッピング法を用いてその場測定することができた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  成長速度 ,  *写像 ,  圧縮応力 ,  温度変動 ,  バッファ層 ,  エピタクシー ,  *MOCVD ,  *窒化ガリウム ,  電気抵抗率 ,  膜厚 ,  *反射率
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  成長温度 ,  *湾曲 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 金属有機化学蒸着 ,  反射率 ,  マッピング ,  Si ,  成長 ,  GaN ,  ウエハ ,  湾曲