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J-GLOBAL ID:201602203869674406   整理番号:16A0379325

極薄結晶シリコン太陽電池の光閉じ込めを向上させるためのインターレース半楕円体ナノ構造

Interlaced semi-ellipsoid nanostructures for improving light trapping of ultrathin crystalline silicon solar cells
著者 (3件):
資料名:
巻: 9672  ページ: 96720H.1-96720H.6  発行年: 2015年 
JST資料番号: D0943A  ISSN: 0277-786X  CODEN: PSISDG  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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超薄結晶シリコン(c-Si)太陽電池の性能向上のために,新しいタイプのインターレース半楕円体ナノ構造(ISEN)を提案した。ISENはx軸方向に大きくy軸方向に小さくと異なった周期を有し,これによってそれぞれ長波長と短波長で光閉じ込め性能を改善することができる。この構造は何らの反射防止コーティングまたは背面金属反射器を用いることなく良好な反射防止および光閉じ込め性能を有する。数値シミュレーションを行い,rx=500nm,ry=200nm,rz=550nmの厚さ2μmのc-Si太陽電池に対して,最大短絡電流密度30.15mA/cm2を得た。吸収は同じ厚さのLambertian限界の87%に近い値を得た。
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分類 (1件):
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太陽電池 
タイトルに関連する用語 (5件):
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