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J-GLOBAL ID：201602204292055830   整理番号：16A0194175

共振器増強PIN光検出器(RCE-PIN-PD)のバイアス依存回路モデリングと最適化

Biasing Dependent Circuit Modeling and Optimization of Resonant Cavity Enhanced PIN Photodetectors (RCE-PIN-PDs)

著者 (2件)： EL-BATAWY Yasser M. (Cairo Univ., Giza, EGY) ,  MEDHAT Marina (Cairo Univ., Giza, EGY)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9656  ページ： 96560P.1-96560P.6  発行年： 2015年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 通常の光検出器では,帯域幅と量子効率はトレードオフの関係になる。この問題を解決するために,RCE-PIN-PDについて検討した。PIN光検出器に光検出器を付加することで,光吸収層における光透過回数を増やし,量子効率を向上した。また,光吸収層の膜厚を小さくして,帯域幅を拡大した。RCE-PIN-PDの性能を検討するために,バイアス依存回路モデルを構築した。この回路モデルに基づいて,受光回路の特性を計算機シミュレーションした。RCE-PIN-PDの光吸収層の膜厚や負荷を変えて性能を計算した。また,光学設計や材料パラメータを変えてRCE-PIN-PDの最適化を行った。負荷抵抗を調整することで,RCE-PIN-PDの性能が大幅に改善されることが分かった。

シソーラス用語： 光共振器 ,  PIN接合 ,  *半導体検出器 ,  *光検出器 ,  依存性 ,  バイアス ,  モデリング ,  最適化 ,  回路モデル ,  帯域幅 ,  量子効率 ,  トレードオフ ,  光回路 ,  電気抵抗 ,  負荷 ,  光透過 ,  光吸収 ,  膜厚 ,  光学設計 ,  パラメータ ,  計算機シミュレーション
準シソーラス用語： *PIN半導体検出器 ,  バイアス依存性 ,  材料パラメータ ,  負荷抵抗

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 共振器 ,  増強 ,  光検出器 ,  Pd ,  バイアス ,  モデリング ,  最適化