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J-GLOBAL ID：201602204570544995   整理番号：16A0380215

RF用のGFETの新しい表面電位ベース物理小型モデル

A New Surface Potential Based Physical Compact Model for GFET in RF Applications

著者 (10件)： WANG Lingfei (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  PENG Songang (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  ZONG Zhiwei (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LI Ling (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  WANG Wei (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  XU Guangwei (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LU Nianduan (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  JI Zhuoyu (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  JIN Zhi (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LIU Ming (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2015  ページ： 731-734  発行年： 2015年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン電界効果トランジスタ(GFET)は,無線周波数(RF)用にますます重要となっている。ここでは,GFETの連続表面電位を基にした物理小型モデルを示した。本モデルの結果は,実験データと厳密に一致した。RF回路設計の最適化において,この小型モデルを実証するために,リング発振器とミキサ回路をシミュレートするために本モデルを使用した。最も重要なことには,GFETを基にするRF回路設計に対し教育的な高い変換利得とIIP3などをもつ高性能ミキサが得られたことである。

シソーラス用語： 表面電位 ,  *FET【トランジスタ】 ,  グラフェン ,  周波数 ,  モデル ,  リング発振器 ,  電子回路 ,  周波数混合 ,  電気回路
準シソーラス用語： RF回路 ,  *グラフェンFET ,  ミキサ回路 ,  物理モデル ,  無線周波数

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： RF ,  表面電位 ,  物理 ,  モデル