Si太陽電池におけるSi<sub>3</sub>N<sub>4</sub>反射防止膜と電極用Agペーストとの反応に及ぼすテルライトガラスの影響

WATANABE Shizuharu; KODERA Takayuki; OGIHARA Takashi

文献

J-GLOBAL ID：201602204876714584 整理番号：16A0272964

Si太陽電池におけるSi₃N₄反射防止膜と電極用Agペーストとの反応に及ぼすテルライトガラスの影響

Influence of tellurite glass on reaction between Si₃N₄ anti-reflection coating film and Ag paste for electrodes in Si solar cells

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資料名：
巻： 124 号： 3 ページ： 218-222 (J-STAGE) 発行年： 2016年
JST資料番号： U0409A ISSN： 1348-6535 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

テルライトガラスとSi₃N₄との反応性をX線回折(XRD)解析を使って調べ,テルライトガラスの塩基度の尺度としての塩基度パラメータ,BおよびO1s結合エネルギーの観点から考察した。XRD解析により,高塩基度のテルライトガラスは,Si₃N₄とかなり反応してSiO₂を生成することが明らかとなった。ガラス含有Ag電極およびSiウエハの微細構造の走査電子顕微鏡(SEM)および走査型透過電子顕微鏡(STEM)の観察は,高反応性テルライトガラス含有Agペーストは,Si₃N₄から成る反射防止膜(ARC)を効果的に分解出来ることを明らかにした。高反応性のガラスがそのARCおよびSiウエハとの焼成Ag電極接触を分解した時,Ag/Te合金粒子が,SiウエハとAg電極間の界面でテルライトガラス相から沈殿することが認められた。また,SEMおよびSTEM観察からも,Ag/Te合金粒子が,シリコンウエハとAg電極間に伝導経路を生成することが明らかとなった。(翻訳著者抄録)

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太陽電池 , ガラスの性質・分析・試験

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