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J-GLOBAL ID：201602205199573070   整理番号：16A0229243

高性能III-窒化物LEDsと高絶縁破壊耐圧ショットキーバリア・ダイオードのモノリシック集積

Monolithic Integration of High Efficiency III-Nitride LEDs and High Breakdown Schottky Barrier Diodes

著者 (4件)： XU Jian (Penn State University, PA) ,  LIU Jie (Penn State University, PA) ,  WANG Li (Penn State University, PA) ,  JIANG Zhenyu (Penn State University, PA)
資料名： Annual Meeting of the IEEE Photonics Society  (Annual Meeting of the IEEE Photonics Society)
巻： 2015  ページ： 51-52  発行年： 2015年 
JST資料番号： T0931A  ISSN： 1092-8081  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III-窒化物発光ダイオード(LEDs)とショットキーバリアダイオード(SBDs)の集積が様々な応用,例えば静電放電(ESD)保護,及びオンチップブリッジ整流器を有する交流LEDs(AC-LEDs),のために提案されてきた。しかしながら,一般に,GaN格子におけるドライエッチングで誘発された窒素空孔が,欠陥ドナーの高い表面集中を招き,飽和電流について不十分なSBD性能,及び低い降伏電圧をもたらしている。本報告では,パターニングされたサファイア基板上での高性能III-窒化物LEDsと高絶縁破壊耐圧ショットキーバリア・ダイオードのモノリシック集積を,初めて報告する。

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *発光ダイオード ,  電圧 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  *集積 ,  空格子点 ,  窒素 ,  電流 ,  *絶縁破壊
準シソーラス用語： LED ,  モノリシック集積 ,  絶縁破壊電圧 ,  *窒化物半導体 ,  窒素空孔中心 ,  飽和電流

分類 (3件)： ダイオード  (NC03050R) ,  発光素子  (NC03082G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高性能 ,  窒化物 ,  絶縁破壊 ,  耐圧 ,  ショットキーバリア ,  ダイオード ,  モノリシック集積