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J-GLOBAL ID：201602205357814365   整理番号：16A0109818

シリコン-オン-インシュレータ材料に基づくa-Si:H TFTの集束作製と特性【Powered by NICT】

Focused fabrication and characteristics of α-Si:H TFTs based on silicon-on-insulator materials

著者 (4件)： Li Lei (Heilongjiang Univ. Key Lab. of Electronics Engineering Heilongjiang Province, Harbin) ,  Wen Dianzhong (Heilongjiang Univ. Key Lab. of Electronics Engineering Heilongjiang Province, Harbin) ,  Li Gang (Heilongjiang Univ. Key Lab. of Electronics Engineering Heilongjiang Province, Harbin) ,  Zhao Xiaofeng (Heilongjiang Univ. Key Lab. of Electronics Engineering Heilongjiang Province, Harbin)
資料名： Qiangjiguang yu Lizishu  (Qiangjiguang yu Lizishu)
巻： 27  号： 2  ページ： 024134-1-024134-5  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2482A  ISSN： 1001-4322  CODEN： QYLIEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,厚さ98nmのナノα-Si:H薄膜を用いた水素化非晶質シリコン薄膜トランジスタ(α-Si:H TFTs)およびチャネルアスペクト比10μm/40μmを実証したが,これはシリコン・オン・インシュレータ(SOI)材料に基づいており,RF-PECVDシステムにより作製した。,SEM,XRDならびにRamanスペクトル法を用いて,種々のアニーリング温度でのナノα-Si:H薄膜の形態学的および構造的性質を特性化した。CMOS処理,異方性エッチング溶液EPW,高周波噴出性及びプラズマエッチング技術を採用して,I(DS)-V(DS)特性と共にa-Si:H TFTを作製した。a-Si:H TFTの普遍的な特性に加えて,エネルギーバランス輸送機構を可能にし,シミュレーションモデルは実験中に発生した負性抵抗現象を調べる特別に確立されている。ナノα-Si:H薄膜とゲート酸化物との間の界面でのエネルギーバンド図の抽出からの結果は価電子帯エネルギーは0.5μm以内のドレインに隣接する6Vから30Vへ上昇するドレイン電圧とともに減少することを示した。これらすべては0.5μm以内のドレインに近い落下電圧は負性抵抗特性の原因であることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 薄膜 ,  ドレイン【半導体】 ,  構造特性 ,  *絶縁材料 ,  界面 ,  HF【周波数】 ,  キャラクタリゼーション ,  アモルファスシリコン ,  負性抵抗 ,  プラズマCVD ,  モルフォロジー ,  薄膜トランジスタ ,  *ケイ素 ,  X線回折 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： *a-Si:H , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  インシュレータ ,  Si ,  TFT ,  集束 ,  作製