文献

J-GLOBAL ID：201602205432534993   整理番号：16A0186964

パターン化誘電体/金属構造を有するGaNベースLEDからの高直線偏光放射

High linearly polarized light emission from GaN-based LED with patterned dielectric/metal structures

著者 (7件)： WANG Miao (Soochow Univ., Suzhou, CHN) ,  CAO Bing (Soochow Univ., Suzhou, CHN) ,  XU Fuyang (Soochow Univ., Suzhou, CHN) ,  HU Jingpei (Soochow Univ., Suzhou, CHN) ,  WANG Jianfeng (Suzhou Inst Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Acad. Sci., Suzhou, CHN) ,  XU Ke (Suzhou Inst Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Acad. Sci., Suzhou, CHN) ,  WANG Chinhua (Soochow Univ., Suzhou, CHN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9524  ページ： 952414.1-952414.8  発行年： 2015年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア基板/GaN/(InGaN/GaN量子井戸)/GaN/透過層/金属線格子の積層構造から成る誘電体/金属線サブ波長格子高直線偏光InGaN/GaN緑色発光ダイオード(LED)を提案し,FDTD解析を行い,実験的に評価した。格子構造の周期を220nmにでき,±40°の範囲内でInGaN/GaN LEDから直接>20dBの消光比と65%のTM透過率を得た。提案の構造は製造複雑性を顕著に低減できた。

シソーラス用語： *直線偏光 ,  積層構造 ,  素子構造 ,  *量子井戸 ,  窒化ガリウム ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  回折格子 ,  金属線 ,  緑 ,  *発光ダイオード ,  格子構造 ,  性能評価 ,  有限差分時間領域法 ,  誘電体 ,  パターン形成
準シソーラス用語： FDTD解析 ,  InGaN ,  サブ波長格子 ,  パターン化 ,  光放射ダイオード ,  緑色

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： パターン化 ,  誘電体 ,  金属構造 ,  GaN ,  LED ,  直線偏光 ,  放射