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J-GLOBAL ID：201602205592142811   整理番号：16A0024351

AlGaN/GaN膜およびマイクロ構造の強誘電性薄膜MEMSと極端な条件でのSiC圧力センサのレーザアブレーション

Laser ablation for membrane processing of AlGaN/GaN- and micro structured ferroelectric thin film MEMS and SiC pressure sensors for extreme conditions

著者 (7件)： ZEHETNER J. (Univ. Applied Sci., Dornbirn, AUT) ,  VANKO G. (Slovakia Univ. Applied Sci.) ,  DZUBA J. (Slovakia Univ. Applied Sci.) ,  RYGER I. (Slovakia Univ. Applied Sci.) ,  LALINSKY T. (Slovakia Univ. Applied Sci.) ,  BENKLER Manuel (Univ. Freiburg, Freiburg, DEU) ,  LUCKI Michal (Czech Technical Univ. in Prague, Prague, CZE)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9517  ページ： 951721.1-951721.7  発行年： 2015年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近筆者らは,AlGaN/GaNベースの電子デバイスを圧力および歪みセンサの検出素子として利用するため,外力(あるいは圧力)によって縦型キャパシタの電極間に圧電電荷の蓄積を誘起する方法を提案した。このようなMEMSセンサの作製プロセスでキーとなる重要な課題は,多重検出特性の検証に必要なダイヤフラムの作製である。本論では,圧力センサへの応用を考慮し,フェムト秒レーザアブレーションと反応性イオンエッチング(RIE)を組み合わせて,バルクSiC基板上内にMEMSセンサとしてAlN/AlGaN/GaNのエピタキシャルヘテロ構造をもつ,マイクロマシン構造を作製する可能性を調べた。3C-SiC内に150μm厚の膜,および4H-SiC内に80μm厚の膜を作製し,マイクロマシン構造内のサブミクロンのリップルやピンホールの抑制に対する,レーザーの回転偏光プロセスの可能性を検証した。センサの試験は標準のアブレーションxy走査法を用いて行い,4H-SiC(115μm),パイレックスガラス(40~80μm),サファイア(50μmと160μm)およびAl₂O₃セラミック(25~90μm)内に膜配列を作製した。4H-SiCの背面はエピタキシャル成長させたAlN/GaN/AlGaNで覆われ,アブレーション後の損傷はなかった。調べたほかの材料の基板はコートせず,アブレーションプロセス後に強誘電体薄膜でコートした。このような手段やデザインの高い自由度によって,コートされた薄膜の機能を害するあるいは損傷するリスクは低減した。

シソーラス用語： *圧力センサ ,  *MEMS ,  誘電体薄膜 ,  レーザアブレーション ,  窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  炭化ケイ素 ,  基板 ,  *窒化アルミニウム ,  *多層膜 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  被覆 ,  ヘテロエピタクシー ,  *レーザ蒸着 ,  リソグラフィー ,  RIE【エッチング】 ,  *ダイヤフラム ,  強誘電体
準シソーラス用語： 窒化ガリウムアルミニウム ,  反応性イオンエッチング

分類 (1件)： 力,仕事量,圧力,摩擦の計測法・機器  (AD05050V)

タイトルに関連する用語 (8件)： AlGaN ,  GaN ,  マイクロ構造 ,  強誘電性薄膜 ,  MEMS ,  SiC ,  圧力センサ ,  レーザアブレーション