文献
J-GLOBAL ID：201602205753443469
整理番号：16A0281256
固体挿入プラズマCVD法によるBiを含む新規炭素系物質の合成
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著者 (4件)：
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資料名：
巻：
63rd
ページ：
ROMBUNNO.20A-H103-5
発行年：
2016年03月03日
JST資料番号：
Y0054B
ISSN：
2758-4704
資料種別：
会議録 (C)
記事区分：
短報
発行国：
日本 (JPN)
言語：
日本語 (JA)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (1件)：
分類
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半導体の結晶成長
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