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J-GLOBAL ID：201602205777949940   整理番号：16A0196159

ULSI素子内の熱酸化膜形成時に生ずる転位の蓄積シミュレーション

Simulation of dislocation accumulation in ULSI cells during the formation of thermal oxide film

著者 (4件)： 佐藤満弘 (北見工大) ,  大橋鉄也 (北見工大) ,  及川亨 (コベルコ建機) ,  丸泉琢也 (東京都市大 総合研)
資料名： 日本機械学会論文集(Web)  (Bulletin of the JSME (Web))
巻： 82  号： 833  ページ： 15-00457(J-STAGE)  発行年： 2016年 
JST資料番号： U0182B  ISSN： 2187-9761  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 最新のナノスケールデバイス構造として用いられている浅溝分離型ULSI素子はその生産工程で素子内部に結晶欠陥である転位が生じ大きな問題となっている。転位は熱酸化膜を形成する過程と,室温まで降温する冷却過程において生ずるものと推定されている。本研究では半導体素子の熱酸化膜形成時に生ずる転位に着目し,結晶塑性解析により,蓄積転位の構造,転位密度,転位量について求め,素子構造の違いが熱酸化膜形成時に蓄積される転位の影響について検討した。(著者抄録)

シソーラス用語： *超LSI ,  ナノ構造 ,  *転位【結晶】 ,  *熱酸化 ,  半導体素子 ,  酸化膜 ,  転位密度 ,  アイソレーション【IC】 ,  解析モデル ,  ウエハ【IC】 ,  トレンチカット【加工】 ,  塑性解析 ,  *シミュレーション
準シソーラス用語： 半導体素子製造 ,  結晶塑性 ,  シャロートレンチアイソレーション

分類 (3件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ULSI ,  熱酸化膜 ,  転位 ,  蓄積 ,  シミュレーション