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J-GLOBAL ID：201602205926001971   整理番号：16A0188854

シリコン基板上の0.06PMnN-0.94PZT(45/55)薄膜の強誘電性,圧電気,誘電性

Ferroelectricity, Piezoelectricity, and Dielectricity of 0.06PMnN-0.94PZT(45/55) Thin Film on Silicon Substrate

著者 (10件)： ZHANG Tao (Xi’an Univ. Sci. and Technol., Xi’an, CHN) ,  ZHANG Tao (Nanjing Univ., Nanjing, CHN) ,  LI Hailong (Xi’an Univ. Sci. and Technol., Xi’an, CHN) ,  ZHOU Chenlei (Xi’an Univ. Sci. and Technol., Xi’an, CHN) ,  ZHU Huaze (Xi’an Univ. Sci. and Technol., Xi’an, CHN) ,  ZHOU Yahong (Xi’an Univ. Sci. and Technol., Xi’an, CHN) ,  LIANG Fujun (Xi’an Univ. Sci. and Technol., Xi’an, CHN) ,  PANG Huafeng (Xi’an Univ. Sci. and Technol., Xi’an, CHN) ,  HAO Limei (Xi’an Univ. Sci. and Technol., Xi’an, CHN) ,  LI Shaorong (Xi’an Univ. Sci. and Technol., Xi’an, CHN)
資料名： Journal of Nanomaterials (Web)  (Journal of Nanomaterials (Web))
巻： 2015  ページ： 864591 (WEB ONLY)  発行年： 2015年 
JST資料番号： U7011A  ISSN： 1687-4110  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高圧電気/高Q値強誘電性薄膜は,電気機械応用,特にマイクロ電気機械システム(MEMS)用に重要である。本研究では,MnとNbドーピングがPZT特性を向上することを念頭に,RFマグネトロンスパッタリングによって,三元系化合物強誘電性薄膜0.06Pb(Mn_1/3,Nb_2/3)O₃+0.94Pb(Zr_0.45,Ti_0.55)O₃(0.06PMnN-0.94PZT(45/55))をシリコン(100)基板上に蒸着した。比較用に,非ドーピングPZT(45/55)薄膜も蒸着した。両薄膜は,(111)と(101)主配列の多結晶構造を示した。横圧電係数は,それぞれe_31,eff=-4.03,-3.5C/m²を示した。これらの薄膜は,それぞれ抗電場強度2E_c=147.31,135.44kV/cm,飽和分極P_s=30.86,17.74μC/cm²,レムナント分極P_r=20.44,9.87μC/cm²を有し,古典的強誘電性を示した。さらに,それぞれ,誘電率と誘電損失が,ε_r=681,537,D=5,4.3%であった。結論として,0.06PMnN-0.94PZT(45/55)薄膜は,誘電率が高いが,非ドーピング薄膜より良好に動作した。本ドーピング薄膜の優れた強誘電性,圧電気,高パワー/エネルギー貯蔵特性,特に容易な製造,集積実現性,高いQ値は,この種の薄膜の実際の応用を可能にする。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  *誘電体薄膜 ,  *強誘電性 ,  *圧電気 ,  ドーピング ,  スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  多結晶 ,  抗電場 ,  誘電分極 ,  *マンガン酸塩 ,  *ニオブ酸塩
準シソーラス用語： RFマグネトロンスパッタリング ,  シリコン基板 ,  圧電係数 ,  飽和分極

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン基板 ,  薄膜 ,  強誘電性 ,  圧電気 ,  誘電性