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J-GLOBAL ID：201602206024757719   整理番号：16A0233454

障壁上部の弾道カーボンナノチューブとグラフェンナノリボン電界効果トランジスタ(FET)量子シミュレータ

Top-of-the-Barrier Ballistic Carbon Nanotubes and Graphene Nanoribbon Field-Effect Transistors Quantum Simulator

著者 (4件)： CHIN Huei Chaeng (Universiti Teknologi Malaysia, Johor, MYS) ,  NG Chin Lin (Universiti Teknologi Malaysia, Johor, MYS) ,  LIM Cheng Siong (Universiti Teknologi Malaysia, Johor, MYS) ,  TAN Michael Loong Peng (Universiti Teknologi Malaysia, Johor, MYS)
資料名： Science of Advanced Materials  (Science of Advanced Materials)
巻： 7  号： 12  ページ： 2576-2582  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： W2374A  ISSN： 1947-2935  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カーボンナノチューブ(CNT)及びグラフェンナノリボン(GNR)電界効果トランジスタ(FET)の電気特性はSi系素子よりも優れている。p型及びn型CNT及びGNR用の量子シミュレーションツールLODISIをMATLABを用いて作成した。シミュレータは障壁の上のモデリングフレームに基づくもので,計算コストは原子的シミュレーション法よりも低い。LODISIはディジタルインバータの電圧伝達曲線(VTC)を定量的に予測する。LODISIを用いてp型及びn型トランジスタをカスタム化し,ドレイン電流-電圧特性,VTCを生成し,素子の性能計量が得られる。

シソーラス用語： FET【トランジスタ】 ,  *カーボンナノチューブ ,  *ナノ構造 ,  *リボン結晶 ,  N型半導体 ,  P型半導体 ,  *シミュレータ ,  プログラムパッケージ ,  GUI【計算機】 ,  バリスティック輸送 ,  計算機シミュレーション ,  電流電圧特性 ,  電流 ,  電圧
準シソーラス用語： *グラフェンナノリボン ,  *デバイスシミュレータ ,  MATLAB ,  ドレイン電流 ,  ドレイン電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 障壁 ,  弾道 ,  カーボンナノチューブ ,  グラフェンナノリボン ,  電界効果トランジスタ ,  FET ,  量子 ,  シミュレータ