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J-GLOBAL ID：201602206455050558   整理番号：16A0051953

Ga+Nbを共ドープしたルチル型TiO₂の巨大誘電率挙動

Colossal Dielectric Behavior of Ga+Nb Co-Doped Rutile TiO₂

著者 (8件)： DONG Wen (Australian National Univ., Australian Capital Territory, AUS) ,  HU Wanbiao (Australian National Univ., Australian Capital Territory, AUS) ,  BERLIE Adam (Australian National Univ., Australian Capital Territory, AUS) ,  BERLIE Adam (Australian Nuclear Sci. and Technol. Organisation, New South Wales, AUS) ,  LAU Kenny (Australian National Univ., Australian Capital Territory, AUS) ,  CHEN Hua (Australian National Univ., Australian Capital Territory, AUS) ,  WITHERS Ray L. (Australian National Univ., Australian Capital Territory, AUS) ,  LIU Yun (Australian National Univ., Australian Capital Territory, AUS)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 7  号： 45  ページ： 25321-25325  発行年： 2015年11月18日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ga+Nbを共ドープしたルチル型TiO₂,すなわち(Ga_0.5Nb_0.5)_xTi_1-xO₂,の合成および誘電特性について報告した。x=0.5%の場合,この材料は広い周波数および温度範囲で10⁴-10⁵におよぶ巨大誘電率を示し,tanδの値は許容できる大きさ(0.05-0.1)であった。この系では,低温(~10-40K)においては欠陥双極子,高温においてはポーラロン類似の電子ホッピング/輸送,および表面障壁層のキャパシタ効果などの多重分極機構の存在が,構造,欠陥および誘電性のキャラクタリゼーションから示唆された。この研究は,強く電子がピン止めされた欠陥双極子クラスタの形成の可能性を決定するために,さまざまな局所的化学環境をもたらすさまざまなサイズのアクセプタイオンの存在が重要であることを示唆する。

シソーラス用語： *酸化チタン ,  *ルチル型結晶 ,  *ガリウム ,  *ニオブ ,  *ドーピング ,  *誘電率 ,  電気双極子 ,  ポーラロン
準シソーラス用語： ドープ ,  *巨大誘電率 ,  欠陥双極子

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドープ ,  ルチル ,  TiO2 ,  巨大誘電率 ,  挙動