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J-GLOBAL ID：201602206649312790   整理番号：16A0034336

容量結合法に基づく高速過渡と高安定性LDR【Powered by NICT】

A Fast-Transient and High Stability LDR Based on Capacitive-Coupling Method

著者 (6件)： Li Shaofeng (Dep. of Microelectronics, Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an) ,  Liu Runmin (Dep. of Microelectronics, Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an) ,  Fan Shiquan (Dep. of Microelectronics, Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an) ,  Gou Wei (Dep. of Microelectronics, Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an) ,  Xie Yi (Dep. of Microelectronics, Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an) ,  Geng Li (Dep. of Microelectronics, Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an)
資料名： Weidianzixue yu Jisuanji  (Weidianzixue yu Jisuanji)
巻： 32  号： 10  ページ： 87-92,97  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2387A  ISSN： 1000-7180  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 高速過渡応答低ドロップアウト調節器(LDR)を設計し,それは容量結合法(CCM)に基づいている。負荷電流は,負荷と全負荷の間のステップしない場合,改善された電圧バッファを動的に急速にLDRのオーバーシュートまたはアンダーシュートを阻害し,回復時間を短縮する調節トランジスタのゲートを充電または放電電流を変えることができる。電流バッファと等価直列抵抗(ESR)補償法を用いて,LDRの安定性は,広い範囲の負荷電流ので確保することができる。LDRは0.18μm標準CMOSプロセスで設計した。シミュレーション結果は,調節因子は全負荷で負荷と80μAで35μAを消費しないことを示した。設計されたLDRの出力コンデンサは2.2μFである。LDRは438nsのステップダウン過渡応答時間から100mA~0ステップ負荷で4.2mVのオーバーシュートを明らかにした。ステップアップ過渡応答時間とアンダーシュート電圧は385nsと12.9mV,それぞれ,0~100mAから段階的負荷。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ステップ ,  過渡応答 ,  電流 ,  電圧 ,  調節器 ,  緩衝液 ,  コンデンサ ,  オーバシュート ,  *高速度
準シソーラス用語： CMOSプロセス ,  等価直列抵抗 ,  放電電流 ,  アンダーシュート ,  負荷電流 ,  *容量結合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 容量結合 ,  安定性 ,  LDR