文献

J-GLOBAL ID：201602206784763026   整理番号：16A0113700

マイクロ波とミリ波GaN HEMTとMMICの新しい進展(続)【Powered by NICT】

New Progress of the Microwave and Millimeter Wave GaN HEMT and MMIC (Continued)

著者 (1件)： Zhao Zhengping (China Electronics Technol. Group Corp., Beijing)
資料名： Bandaoti Jishu  (Bandaoti Jishu)
巻： 40  号： 2  ページ： 81-88  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2378A  ISSN： 1003-353X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： チップの上でGaN HEMT素子と受動素子(MIMコンデンサ、膜抵抗と基板上のバイアホールなどのような)があるからからなるマイクロ波モノリシック集積回路(MMIC)とGaN HEMT分立トランジスタのほとんど同期発展, MMIC技術の発展はGaN HEMTデバイスの回路の応用に体積と品質を低減でき,高周波数の要求に適応するとバッチ生産をもたらす。現在4インチ(1インチ= 2 cm 54)円片級GaN MMIC加工ラインはすでに成熟しているが,GaN MMICの動作周波数はマイクロ波をすでにからカバー3mmバンド,GaN MMICの性能は、高効率、高パワーと広帯域多機能統合の方向へ発展してきた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： バッチ生産 ,  トランジスタ ,  広帯域 ,  *窒化ガリウム ,  バンド ,  *MMIC ,  バイアホール ,  *マイクロ波 ,  HF【周波数】 ,  半導体集積回路 ,  *EHF波 ,  仕事率
準シソーラス用語： 高効率 ,  動作周波数 ,  *GaN HEMT , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： マイクロ波 ,  ミリ波 ,  GaN ,  HEMT ,  MMIC ,  進展