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J-GLOBAL ID：201602207130760865   整理番号：16A0289244

酸性アモノサーマル法による高品位バルクGaN結晶の高速成長

著者 (9件)： 栗本浩平 (日本製鋼所) ,  包全喜 (日本製鋼所) ,  包全喜 (東北大 多元物質科研) ,  斉藤真 (三菱化学) ,  斉藤真 (東北大 多元物質科研) ,  茅野林造 (日本製鋼所) ,  小島一信 (東北大 多元物質科研) ,  石黒徹 (東北大 多元物質科研) ,  秩父重英 (東北大 多元物質科研)
資料名： 日本金属学会講演概要(CD-ROM)  (Collected Abstracts of Spring Meeting of the Japan Institute Metals and Materials (CD-ROM))
巻： 158th  ページ： ROMBUNNO.134  発行年： 2016年03月09日 
JST資料番号： S0988B  ISSN： 2433-3093  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *溶液成長 ,  アンモニウム化合物 ,  ハロゲン化物 ,  成長速度 ,  温度 ,  圧力 ,  鉱化剤 ,  *結晶成長 ,  超臨界流体 ,  アンモニア ,  酸性 ,  溶解度 ,  温度勾配 ,  *固体素子
準シソーラス用語： *アモノサーマル法

分類 (3件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： 酸性 ,  アモノサーマル法 ,  高品位 ,  バルク ,  GaN ,  結晶 ,  成長