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J-GLOBAL ID:201602207486619369   整理番号:16A0107424

マグネトロンスパッタリングで作製した結晶性TiO_2薄膜に及ぼすプロセスパラメータの影響【Powered by NICT】

Effects of Process Parameters on Crystalline TiO_2 Thin Films Prepared by Magnetron Sputtering
著者 (3件):
資料名:
巻: 44  号:ページ: 48-52,101  発行年: 2015年 
JST資料番号: C2656A  ISSN: 1001-3660  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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客観TiO_2薄膜とプロセスパラメータの結晶化の間のパターンを探求すること。方法プロセス条件(試料の位置,スパッタリング電力,酸素分圧,台車,堆積温度とアニーリング)は,一般的なスライドガラス基板上にTiO_2薄膜を調製するためにDC反応性マグネトロンスパッタリング法により修飾した。異なるプロセスパラメータの下でTiO_2薄膜をXRDとSEMで分析した。結果固定ターゲット-基板距離の場合,簡単に試料懸濁液位置を変えることでは,薄膜結晶にほとんど影響しなかった。スパッタリング電力をある範囲内で増加するにつれて,膜結晶がよりよく(アナターゼ結晶に)。酸素分圧が10%であった薄膜の結晶性が圧力は5%であったよりも良好であった。ターンテーブルを開放しない場合薄膜結晶が優れていた,ターンテーブルを開けた場合と比較した。蒸着温度(300°Cと350°Cの間のシフト)は,薄膜結晶に差を示さなかった。アニールした薄膜の結晶性は焼鈍せずより優れていた。結論試料懸濁液位置と堆積温度がTiO_2膜の結晶特性にほとんど影響しなかった。ターンテーブルの酸素分圧および開口度はTiO_2膜の結晶特性に及ぼすいくつかの影響を与える。スパッタリング出力とアニーリングはTiO_2薄膜の結晶化に及ぼす大きな影響を有し,アニール後に現れるルチル結晶回折ピーク。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
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酸化物薄膜 
タイトルに関連する用語 (5件):
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