文献

J-GLOBAL ID：201602207604559112   整理番号：16A0024106

二酸化バナジウム(VO2)薄膜における電界支援金属絶縁体転移:光スイッチング挙動と異常な遠赤外線放射率変動

Electric field-assisted metal insulator transition in vanadium dioxide (VO2) thin films: optical switching behavior and anomalous far-infrared emissivity variation

著者 (7件)： CRUNTEANU Aurelian (Univ. Limoges, Limoges, FRA) ,  FABERT Marc (Univ. Limoges, Limoges, FRA) ,  CORNETTE Julie (Univ. Limoges, Limoges, FRA) ,  COLAS Maggy (Univ. Limoges, Limoges, FRA) ,  ORLIANGES Jean-Christophe (Univ. Limoges, Limoges, FRA) ,  BESSAUDOU Annie (Univ. Limoges, Limoges, FRA) ,  COSSET Francoise (Univ. Limoges, Limoges, FRA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9364  ページ： 93640J.1-93640J.11  発行年： 2015年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸素雰囲気下でのバナジウムターゲットの電子ビーム蒸着を用いて,種々の基板(サファイア,Si,SiO₂/Si...)へ二酸化バナジウム(VO₂)薄膜を堆積し,材料が熱的及び電気的刺激下で金属-絶縁体相転移(MIT)を受けることに伴う電気的及び光学的性質の変化に注目する。サファイア基板上のVO₂膜は単一方位であり,MIT間で5桁の電気抵抗変化を示す。温度によって,及び,電気的に引き起こされるMITには層の光学特性の重要で鋭い変化が伴う。二酸化バナジウム材料及びVO₂パターン上に作製された電気-光学デバイスは,電気及び光学の両方の領域において非常に興味深い非線形特性を持つシステムである。金属-絶縁体転移及び関連するT_MIT近傍での相パーコレーションは,かなり高い光学変調周波数を持つ光学信号の効率的な変調と負性微分抵抗及び負性微分光学エミッタンスのような新しく魅力的な現象を可能にする。この著しい特性から,光学変調器及び制限デバイス,ナノ発振器,偽装あるいは偽造被覆,光学同調メタマテリアルあるいはバイオインスパイヤードニューロモルフィック電気-光学メモリなどの興味深い応用が見つかる。

シソーラス用語： *薄膜 ,  *酸化バナジウム ,  *金属-絶縁体転移 ,  光交換 ,  分光放射率 ,  遠赤外線 ,  熱放射率 ,  電気抵抗 ,  光透過 ,  光反射 ,  電流電圧特性 ,  電子ビーム蒸着 ,  パーコレーション
準シソーラス用語： 二酸化バナジウム ,  光スイッチング

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (9件)： 二酸化バナジウム ,  VO2 ,  薄膜 ,  電界 ,  支援 ,  金属絶縁体転移 ,  光スイッチング ,  挙動 ,  遠赤外線放射