抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
本論文では,真空における絶縁体の表面フラッシュオーバに関する研究をレビューした。それは,陰極トリプル接合からの電界放出が真空中の絶縁体表面フラッシュオーバの主な開始メカニズムであることを結論付けるフラッシュオーバの理論的メカニズムと関連する実験結果を示した。浅い/深いトラップの存在と密度が二次電子放出アバランシェ(SEEA)とフラッシュオーバに著しく影響するが,フラッシュオーバはSEEAによって成長する。フラッシュオーバの最終段階は,(恐らく気化絶縁材を含む)脱着表面ガスで起こる。次に,表面フラッシュオーバが関与する絶縁体の実用的応用のための理論と実験の意味を議論した。絶縁体のホールドオフ電圧は,以下のパラメータに依存することが示された,1)絶縁体自体の特性:材料,形状,表面仕上げ,電極へのアタッチメント,2)印加電圧:波形,期間,単一パルスまたは反復,3)絶縁体の履歴:処理,動作環境と以前の電圧適用。特定用途のために絶縁体を選択する際の材料,形状と処理を選択する方法について,いくつかの提案をした。絶縁体のホールドオフ電圧を改善するためのいくつかの具体的な方法を推奨した。